等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）

suopu — Fri, 28 Aug 2020 07:52:53 +0000

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD），三溫區(qū)CVD系統(tǒng)，生長(zhǎng)樣品腔的管徑60-120mm，它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統(tǒng)、機(jī)械泵、真空密封及測(cè)量系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)組成，極限真空度可達(dá) 10^-5 torr 。

主要特點(diǎn)：

1，優(yōu)勢(shì)在于薄膜材料、低維納米材料等的制備（尤其適用于過渡金屬二維半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)與原位摻雜，以及多元二維材料的生長(zhǎng)）

2，可選配遠(yuǎn)程等離子射頻發(fā)生系統(tǒng)，可用于薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長(zhǎng)、刻蝕加工與材料表面修飾（尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長(zhǎng)，缺陷調(diào)控，以及器件制作工藝中的殘膠去除）

3，生長(zhǎng)工藝設(shè)計(jì)先進(jìn)，能滿足襯底無催化生長(zhǎng)

4，應(yīng)用案例（點(diǎn)擊跳轉(zhuǎn)）

設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)

溫控參數(shù)		單位
溫度	1200	℃
功率	6.5	kw
溫控精度	±1	℃
真空系統(tǒng)
真空泵	1 x 10^-3 (7.5 x 10^-4)	mbar (Torr)
真空泵(開氣鎮(zhèn))	1.5 x 10^-2 (1.1 x 10^-2)	mbar (Torr)
真空泵(使用PEPE 油)	1 x 10^-2(7.5 x 10^-3)	mbar (Torr)
腔體內(nèi)真空度	優(yōu)于2.0_*10^-2	Torr
流量控制參數(shù)
泄露率	＜4×10^-9	atm-cc/secHe
分辨率	全量程的0.1%
響應(yīng)時(shí)間氣特性	<2	s
響應(yīng)時(shí)間電特性	500	ms
尾氣吸收參數(shù)
材質(zhì)	殼體鋁合金、不銹鋼
吸氣腔	聚四氟乙烯
等離子體系統(tǒng)參數(shù)
功率輸出	5 – 300，5 – 500	W
信號(hào)頻率	13.56 ±0.005%	MHz
反射功率	200	W
功率穩(wěn)定度	±0.1%
諧波分量	≤-50	dbc
供電電壓	187V – 253V —- 頻率50/60HZ

以上就是東莞市卓聚科技有限公司提供的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）的介紹，

詳細(xì)情況歡迎您咨詢我們，客服電話：400-966-2800

等離子體修飾系統(tǒng)

suopu — Thu, 28 May 2020 07:51:32 +0000

等離子體修飾系統(tǒng)，利用三溫區(qū)管式爐，通過氧氣輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)了大尺寸、高質(zhì)量的單層二硫化鉬薄膜。在生長(zhǎng)過程中引入氧氣，不僅能夠有效的阻止三氧化鉬源中毒，降低形核密度，而且還能減小硫空位密度，從而實(shí)現(xiàn)了大尺寸單晶單層二硫化鉬的生長(zhǎng)。

利用等離子體修飾系統(tǒng)，在自限生長(zhǎng)的前提下，目前已實(shí)現(xiàn)了兩英寸晶圓級(jí)高質(zhì)量單層二硫化鉬的外延生長(zhǎng)，并通過改進(jìn)轉(zhuǎn)移設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)薄膜的零污染且襯底無損轉(zhuǎn)移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個(gè)藍(lán)寶石襯底上，而且沒有縫隙，沒有重疊層。薄膜由晶粒尺寸為 1 微米，相對(duì)取向?yàn)?60 o的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 o晶界。

等離子體修飾系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1. 有效避免固態(tài)源中毒；

2.成膜均勻性好；

3.成膜面積大；

4.快速、生長(zhǎng)速度可控。

圖：兩英寸單層二硫化鉬的取向外延生長(zhǎng)

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